Sehr geehrtes Victron Team / Hallo Community,
da ich bereits sehr breit gefächerte Erfahrungen in dem Gebiet gesammelt habe, sowie bereits einiges mit Geräten diverser Hersteller gemacht habe und da ich selbst Elektronik Entwickler / Firmware Programmierer im automotive Bereich bin, habe ich mich für eines meiner neueren Projekte für einen Multi RS Solar 48/6000/100-450/100 entschieden, da dieser nach breiter Marktanalyse die besten Vorraussetzungen für mein Vorhaben (DIY Peak Shaving Powerwall bzw. AC- gekoppelter Batteriespeicher für dynamische Stromtarife) bietet.
Im Zuge dessen habe ich mir direkt eine eigene Steuerplatine (Dongle) entwickelt und programmiert, welche sich direkt per RJ45 mit dem VE.Can verbinden lässt und sich gleichzeitig darüber versorgt (sehr geringe Stromaufnahme), sowie in weiterer Folge dann auf Netzwerkbasis (IEEE 802) per VE.Can (NMEA 2000) den Multi RS Solar direkt steuert sowie alle relevanten Parameter überwacht.
(Warnung an alle die daran denken, ähnliches umzusetzen: Der VE.Can ist nicht galvanisch getrennt und liefert ebenso direkte Batteriespannung über gewisse Pins, hier ist Vorsicht geboten, da sonst sehr schnell Schäden entstehen können!)
Bei der Detailimplementation sind jedoch folgende Fragen auf gekommen:
Der aktuelle Wechselrichtermodus kann per VREG: 0x0200 gesteuert / abgefragt werden (1…Reiner Ladebetrieb, 2…Reiner Wechselrichter, 3…Ein, 4…Aus, 251…Durchschleifen), dies ist auch soweit offiziell dokumentiert (bis auf den letzten Modi).
Die Leistungsvorgabe sowohl für den AC-gekoppelten Lade- als auch Entladebetrieb habe ich per ESS AC-Grid-Setpoint VREG: 0xD0C8 realisiert, dies scheint in keiner offiziellen Doku auf, wird jedoch z.B. von der Victron Connect App verwendet und funktioniert soweit problemlos.
Bei beiden Registern stellt sich für mich jedoch die Frage nach der genauen Wechselrichterseitigen Firmwareimplementation des Registers:
- Wird bei jedem Schreibzugriff der Wert rein als RAM Variable gehandhabt oder findet im Hintergrund eine Speicherung im Langzeitspeicher (EEPROM, FLASH oder eher unwarscheinlich (ob vorhanden), FRAM statt)?
- Sollte hier eine Speicherung im Langzeitspeicher statt finden, wird diese jedes Mal (bei jedem Schreibbefehl) oder nur bei einer Änderung des Wertes durchgeführt?
- Wie hoch ist die Schreibzyklenzahl des verwendeten Speichers?
- Sind eventuell Mechanismen vorhanden, welche den jeweilgen Wert nur alle x-Sekunden speichern oder geschieht dies gar nur, wenn aktiv ein Abfall der Versorgungsspannung erkannt wird?
- Bzw. die wichtigste Frage, können diese Register im beliebigem Abstand / zyklisch beschrieben werden ohne Langzeitfolgen zu riskieren?
Mit freundlichen Grüßen,
Hyperelectronic